TSVアニールプロセス
Si TSV 絶縁層のクラックの問題におけるプロセス変更
CMP均一研磨
CMP工程おいて銅の削れ方が面内で違う為に、銅を完全にとるまでに時間がかかり、銅がすでになくなっている箇所のディッシングが加速してしまう
TSV側壁絶縁膜の電気特性
Via firstプロセスでTSVを形成する場合、側壁の絶縁膜は熱酸化を適用。Via lastプロセスでは先にデバイス面を形成して、サポートガラスに接着剤を用い、絶縁膜には低温で成膜できるP-CVD膜を用いる
部品内蔵基板の応力評価
部品内蔵基板の構造、及び構成材料により発生する、内蔵チップ内部の応力を評価する
超微小径スルーホールフィリング
部品内蔵基板、半導体パッケージコア基板、シリコン・ガラスインターポーザーへの超微小径スルーホールフィリング技術
ランド形成プロセス
VIAフィルCuめっきとPost形成を同時に行うプロセスの開発
極厚レジスト
TSV上のランド形成や銅厚基板、メタルマスク等への厚配線形成プロセスの初期評価を目的
スルーホールフィリング
部品内蔵基板、半導体パッケージコア基板、パワーモジュール基板へのスルーホールフィリング技術