【背景・目的】
・CMP工程おいて銅の削れ方が面内で違う為に、銅を完全にとるまでにCMPをかけている時間が
長くなってしまう
・時間がかかることによって、銅がすでになくなっている箇所のディッシングが加速してしまう
・先にSi面までCMPが完了している箇所は30分以上もかかり続けている
・CMPが長くかかってしまった箇所のTSVはSi面より2um以上Cu面が下がっていいる。
CuCMPの均一研磨が必要である
ＣＭＰ均一研磨
【プロセスポイント】
☆インラインドレス
ドレスはCMPの研磨前に使用していたが、
CMP研磨中にドレスをかけることにより
パッドの状態を常に良好な状態でCMPを
行うように変更インラインドレス使用時は
スラリー滴下位置を最適位置に変更
☆ドレスレシピ改善によりパッド形状 ☆研磨パッド溝形状の変更
【プロセス改善後の比較】
・CMP条件改善前はウエハの外側がより多くCMPがかかってしまう傾向があったが、改善後は面内の状態が均一化された
