TSVアニールプロセス

  • 【背景・目的】 Si TSV 絶縁層のクラックの問題
       要因1. 銅の熱膨張
       要因2. 銅TSVのディッシング
  • 【設計・構造】
      1. 銅の熱膨張
        ⇒アニール処理
      2.銅TSVのディッシング
        ⇒表面のSi(SiO2)とTSV面の平滑化

主要のプロセス変更点(Annealing後にCMPを実施)
 1.Cuの線膨張の影響を受けず、平滑面が得られる
 2.電解Cu中の不純物ごとCMPで除去