ViaFistTSV
フロー、WALTS-TEG CC80-TSV（Via First)
TSVアニールプロセス
Si TSV 絶縁層のクラックの問題におけるプロセス変更
CMP均一研磨
CMP工程おいて銅の削れ方が面内で違う為に、銅を完全にとるまでにCMPをかけている時間がかかり、銅がすでになくなっている箇所のディッシングが加速してしまう
TSV側壁絶縁膜の電気特性
Via firstプロセスでTSVを形成する場合、側壁の絶縁膜は熱酸化を適用
Via lastプロセスでは先にデバイス面を形成して、さらにサポートガラスに接着剤を用いるため、絶縁膜には低温で成膜できるP-CVD膜を用いる
TSVTEG (Via Last)-HPW0101
TSVを三次元積層した際の発熱による評価解析を行うためのテストチップ開発を行い企業開発に貢献する