ＴＳＶアニールプロセス

  • 【背景・目的】　Si TSV 絶縁層のクラックの問題
    　　　要因1.　銅の熱膨張
    　　　要因2.　銅TSVのディッシング
  • 【設計・構造】
    　　1. 銅の熱膨張
    　　　 ⇒アニール処理
    　　2.銅TSVのディッシング
    　　　 ⇒表面のSi（SiO2）とTSV面の平滑化

主要のプロセス変更点（Annealing後にCMPを実施）
　１.Cuの線膨張の影響を受けず、平滑面が得られる
　２.電解Cu中の不純物ごとCMPで除去