キープロセス

・SI0601配線はセミアディティブプロセスで形成
・めっき用レジストパターンは液レジストとステッパーにて形成
・コア材ベースの場合はウエハに貼り合わせて製造
・下地材料の平坦性がめっき用レジストパターン形成に大きく影響

・シードメタル形成方法
　　　SiO2 または Liquidが下地の場合・・・ドライプロセス(蒸着 or スパッタ―)のTi/Cu
　　　ビルドアップ材が下地の場合・・・ドライプロセス or ウエットプロセス(無電解銅めっき)
・従来のデスミアと無電解銅めっきでは配線間のCu残渣が多発
・可能な限り低粗度な下地に極薄無電解銅めっき膜を形成することが重要

【ドライプロセスを用いた試作例】　

 

【ウエットプロセスを用いた評価事例】

(3) Cu配線のシード層に異種金属を形成

　　→異種金属にてシード層形成することにより
　　　シードエッチング時の銅配線幅減少を解消

 

2.1D/2.5D実装用インターポーザのための超微細配線の絶縁信頼性評価

　【評価装置】

 

　【評価サンプルと試験条件】

　【評価結果】