【背景・目的】

ASIC-Wide I/O2やASIC-HBM等メモリー間の2.1/ 2.5D 実装向けた微細配線基板開発環境の提供

【主要提供プロセス】

1．ステッパーおよびスピンコーター等高精細液レジ・ホトリソ環境を提供
　　＊標準TEGマスクの提供
2．直描露光装置を併用した高精細基板露光環境　
3．無電解メッキおよび蒸着／スパッタ極薄メッキシード形成が可能
4．真空プレス等基板製作環境完備、高精度電解メッキ装置
5．FIB、高分解SEM、高周波電気特性評価装置等測定環境