【背景】
三次元集積回路の微細化の要求に対応すべく、直径11μmの微細TSVの制作に取り組んだ
微細化する際に必要となったプロセス改善技術について紹介する

【設計・構造】

プロセスフロー

・フォトリソ（TSV）
・Siエッチング（TSV）
・レジスト除去
・絶縁膜形成
・シードスパッタ（Ti/Cu）
・Cuフィリングめっき

プロセス	・Siエッチング（TSV)
目標	・垂直にストレートな形状
改善方法	・穴底保護膜除去の最適化 ・Top開口を大きくする

　

【プロセスポイント】

■Siエッチング
（Boschプロセス）
　右図の繰り返しによる
　 高速エッチング

プロセスポイント

■エッチング形状改善①
φ50μｍTSVで最適化されたレシピを
φ11μｍTSVに適応すると

　　　穴底が細くなる ×　　　　　穴底が荒れる ×

■エッチング形状改善②
TSV内壁の絶縁膜にCVDを適用すると…
トップが狭まりスパッタが入りにくくなる ×

【製造フロー】

【I-V測定方法】

【TSVのI-V特性評価】
直径50μm（深さ100μm）のTSVと同等レベルの絶縁性を示し、膜厚の影響も少ない